POWER MOSFET驅(qū)動(dòng)電路

1. 主要參數(shù)及特性
??????? MOSFET(上海諾易電器)是由電壓控制型器件,輸入柵極電壓VG控制著漏極電流ID,即一定條件下,漏極電流ID取決于柵極電壓VG。極限參數(shù)有:最大漏源電壓VDS、最大柵源電壓VGS、最大漏極電流ID,最大功耗PD。在使用中不能超過極限值,否則會(huì)損壞器件。主要電特性有:開啟電壓VGS(Th);柵極電壓為零時(shí)的IDSS電流;在一定的VGS條件下的導(dǎo)通電阻RDS(ON)。

2. 基于開關(guān)電源(上海諾易電器)IC3843驅(qū)動(dòng)電路

HS70N06VGS一般3.1V就可以完全開啟,也有很低的導(dǎo)通電阻RDS(ON),像3843這類內(nèi)部帶圖騰柱驅(qū)動(dòng)電路的IC一般都可以很輕松的驅(qū)動(dòng)它.柵極電阻的選擇范圍也比較大,一般可以從幾歐到幾百歐。

3. 基于MCU圖騰驅(qū)動(dòng)電路

MCU的工作電壓都比較低(一般都在5.5V以下),不能直接驅(qū)動(dòng)HS80N75或者說驅(qū)動(dòng)能力很差.所以我們一般選擇增加外部圖騰驅(qū)動(dòng)電路。

4. 基于逆變器輸出驅(qū)動(dòng)電路

5. 基于HID安定器全橋驅(qū)動(dòng)電路

6. 基于DCBL馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路

在這種通電方式里,每瞬間均有三只MOSFET(上海諾易電器)通電.每60o換相一次,每次有一個(gè)MOSFET(上海諾易電器)換相,每個(gè)MOSFET(上海諾易電器)通電180o。